![\"highkit_transistor_analyser_uk560_02\"](\"http:\/\/www.crowave.com\/blog\/wp-content\/uploads\/2018\/10\/highkit_transistor_analyser_uk560_02.jpg\")
<\/a><\/p>\nTRANSISTOR ANALYSER UK560 prilago\u0111en je za mjerenje stati\u010dkih (istosmjernih) karakteristika tranzistora u spoju zajedni\u010dkog emitera. Na temelju ovih karakteristika tranzistor mo\u017eemo postaviti u odre\u0111eni re\u017eim rada, izra\u010dunati njegovo poja\u010danje, stati\u010dke ulazne i izlazne otpore, odnosno vidjeti njegovu pogodnost za primjenu u odre\u0111enim sklopovima i sli\u010dno.<\/p>\n
Postoje tri osnovne stati\u010dke karakteristike tranzistora.<\/p>\n
Ulazna stati\u010dka karakteristika tranzistora<\/strong> prikazuje ovisnost ulazne struje baze (Ib) o ulaznom naponu baza-emiter (Ube), uz stalnu vrijednost izlaznog napona kolektor-emiter (Uce). Iz karakteristike vidimo da struja baze Ib po\u010deti te\u0107i tek kad napon Ube postigne odre\u0111eni iznos (za silicijske tranzistore to je oko 0,5 V). Tako\u0111er vidimo da promjena napona Uce vrlo malo utje\u010de na iznos struje Ib. Iz omjera napona Ube i pripadaju\u0107e struje Ib mo\u017eemo izra\u010dunati stati\u010dki ulazni otpor tranzistora (Rbe).<\/p>\n Izlazna stati\u010dka karakteristika tranzistora<\/strong> prikazuje ovisnost izlazne struje kolektora (Ic) o izlaznome naponu kolektor-emiter (Uce), uz stalnu vrijednost ulazne struje baze (Ib). Vidimo da u podru\u010dju vrlo malih napona Uce (nekoliko desetaka milivolta) struja kolektora naglo raste s porastom napona i to pribli\u017eno linearno po Ohmovom zakonu, sve do krajnje to\u010dke zasi\u0107enja kada se daljnjim pove\u0107anjem napona struja kolektora gotovo i prestane mijenjati. \u00a0Ovo podru\u010dje ozna\u010deno je crtkanom linijom i naziva omsko podru\u010dje (negdje se koristi i termin triodno podru\u010dje jer je ovaj dio sli\u010dan karakteristici elektronske cijevi triode). Slijedi dakle podru\u010dje kada se daljnjim porastom napona Uce struja Ic gotovo i ne mijenja, a onda porastom napona Uce preko neke vrijednosti struja kolektora Ic ponovno naglo poraste, zbog \u010dega dolazi do prekomjernog zagrijavanja tranzistora i naj\u010de\u0161\u0107e njegovog uni\u0161tenja. Treba primijetiti da je na ravnom dijelu karakteristike (od to\u010dke zasi\u0107enja do to\u010dke proboja) struja kolektora Ic ovisi gotovo isklju\u010divo samo o struji baze Ib, a to podru\u010dje nam je posebno zanimljivo kada tranzistor promatramo kao poja\u010dalo. \u010cak i kad je struja baze Ib = 0, kroz tranzistor te\u010de neka vrlo mala kolektorska struja koja za silicijske tranzistore ne prelazi nekoliko mikroampera. To podru\u010dje koje se nalazi ispod karakteristike struje baze Ib = 0 (prva donja krivulja) zove se podru\u010dje zapiranja. Iz ovih krivulja lako se o\u010dita faktor strujnog poja\u010danja tranzistora (primjena struje kolektora naspram promjene struje baze), a tako\u0111er mo\u017eemo izra\u010dunati i stati\u010dki otpor tranzistora izme\u0111u baze i emitera (Rbe) kao omjer napona Uce i pripadaju\u0107e struje Ic.<\/p>\n Prijenosna stati\u010dka karakteristika tranzistora<\/strong> prikazuje ovisnost izlazne struje kolektora (Ic) o ulaznoj struji baze (Ib), uz stalnu vrijednost izlaznog napona kolektor-emiter (Uce). Vidimo da mala promjena struje baze Ib uzrokuje znatnu promjenu struje kolektora Ic, \u0161to zna\u010di da tranzistorom posti\u017eemo strujno poja\u010danje. Stoga iz ove karakteristike tranzistora mo\u017eemo izra\u010dunati stati\u010dki faktor strujnog poja\u010danja (\u0392 ili hFE), a to je omjer struje kolektora IC i struje baze IB uz stalan napon Uce.<\/p>\n Na gornjoj slici vidimo elektri\u010dnu shemu instrumenta UK560 dok smo na donjoj nacrtali istu stvar na pojednostavljen i pregledan na\u010din. Tako sada iz opisa gornjih karakteristika tranzistora znamo \u0161to mjerimo, a iz prilo\u017eene sheme vidimo i kako mjerimo te pode\u0161avamo napone i struje za pojedina mjerenja. Radi se doista o elementarnim mjerenjima struja i napona dva istosmjerna strujnih kruga od kojih je jedan zatvoren preko spoja BE, a drugi preko spoja CE tranzistora. Mijenjanjem parametara u jednom krugu pratimo promjene u drugom krugu, a rezultate unosimo kao to\u010dke za grafi\u010dki prikaz (na nekom milimetarskom papiru).<\/p>\n Kod mjerenja karakteristika nepoznatih tranzistora uvijek treba zapo\u010deti sa najmanjim naponima i strujama jer svaki tranzistor ima svoja strujna i naponska ograni\u010denja. Ukoliko se prema\u0161e strujna ograni\u010denja tranzistora (Ib i Ic) do\u0107i \u0107e do zagrijavanja i uni\u0161tenja tranzistora. Isto tako ukoliko se prema\u0161e naponska ograni\u010denja (Ube i Uce) do\u0107i \u0107e do proboja i time tako\u0111er do uni\u0161tenja tranzistora. Treba uzeti u obzir da i temperatura tranzistora mo\u017ee znatno utjecati na njegove karakteristike i to ve\u0107 kod razlika od nekoliko \u00b0C.<\/p>\n Jednostavna shema \u010dini i jednostavnu unutarnju konstrukciju ovog instrumenta. Sklopkama za odabir vrste tranzistora (NPN ili PNP) osim \u0161to se prebacuje polaritet napajanja tranzistora, prebacuje se i polaritet priklju\u010daka oba instrumenta jer struje kroz njih teku u suprotnim smjerovima. Napajanje mjernog sklopa je dvostruko: napon baterijskog \u010dlanka 1,5 V za mjerni krug BE i napajanje 2 x 4,5 V (9 V) za mjerni krug CE.\u00a0 Kontakti sklopke nisu lemljeni izravno na plo\u010dicu ve\u0107 preko spojnih \u017eica, pa sve ovo navedeno stvara prili\u010dnu gu\u017evu na relativno jednostavnoj plo\u010dici instrumenta.<\/p>\n<\/a><\/p>\n<\/a><\/p>\n<\/a><\/p>\n<\/a><\/p>\n<\/a><\/p>\n<\/a><\/p>\n